模擬器件公司(ADI)的模擬技術副總裁Lewis Counts表示,隨著IC采用SiGe和SOI等其它材料制造,半導體產業在過去10年已進入“超級硅時代”,硅已不能獨自滿足電子產業的要求。

Counts在國際固態電路會議(ISSCC)上發表主旨演講時,對臺下的數百名聽眾說道:“我在過去10年里提出,我們已進入超級硅時代?！?

Counts贊揚了Jean Hoerni和他的飛兆半導體同事在上世紀50年代發明平面工藝,將之稱為“20世紀意義最重大的成就之一”,并稱其奠定了硅作為電子產業中關鍵材料的地位。但他指出,最近幾年出現了更加復雜的工藝,以滿足更高的系統要求。他說,今天需要從SiGe BiCMOS一直到100V DMOS的各種工藝,以最好地支持許多系統。

Counts表示,其它新型結構和材料可能進入半導體制造領域,將把器件性能提升到目前無法想像的高度。

Counts指出:“在不降低模擬和混合信號器件的動態范圍情況下,我們能否繼續改善速度和性能？我認為我們能夠做到這點,但必須對器件的結構進行根本性的改變。”

Counts認為模擬/混合信號芯片設計面臨五大挑戰:動態范圍,帶寬,絕對值(電壓,電流,速度和溫度)、功率效率和復雜性。他說,模擬與數字設計之間的界線趨于模糊,但二者仍然保持區別而且屬于不同領域?！暗谧罡邔哟紊?設計就是設計?！?

Counts還談及把多個射頻集成到手機之中所面臨的挑戰,估計未來的手機將至少含有六種無線技術,支持Wi-Fi、Bluetooth、WiBree、超寬帶(UWB)、WiMax、近距通訊(NFC)和電子標簽(RFID)等通訊標準。他說,這將在技術方面遇到挑戰,商業前景也會遇到麻煩,因為要想成功地把這些技術整合在一起,同時必須把成本和功耗控制在最低水平。

Counts表示,設計師不愿意為每種無線技術建立多個天線,但將會需要某種形式的自適應性天線。他猜測這種自適應性天線也許是MEMS開關。