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      Vishay SiR582DP-T1-RE3 MOSFET

      訂 貨 號(hào):SiR582DP-T1-RE3      品牌:威世_Vishay

      庫存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

      品牌商價(jià):¥0.00

      環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

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      公司基本資料信息







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      Vishay SiR582DP-T1-RE3 MOSFET
      產(chǎn)品詳細(xì)信息

      這款 Vishay TrenchFET N 溝道功率 MOSFET 的漏極電流為 116 A,用于同步整流、初級(jí)側(cè)開關(guān)、直流/直流轉(zhuǎn)換器和電機(jī)驅(qū)動(dòng)開關(guān)。

      極低的 RDS x Qg 品質(zhì)因數(shù)(FOM)
      經(jīng)過調(diào)諧,適合最低的 RDS x Qoss FOM
      100 % Rg 和 UIS 測試


      屬性 數(shù)值
      通道類型 N
      最大連續(xù)漏極電流 116 A
      最大漏源電壓 80 V
      封裝類型 PowerPAK SO-8
      安裝類型 表面貼裝
      暫無

      正在載入評(píng)論詳細(xì)...
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