Infineon IPD78CN10NGBUMA1 MOSFET
產品詳細信息
Infineon OptiMOS?2 N 通道系列提供行業最低電壓接地電阻。 功率 MOSFET 系列可用于很多應用，包括高頻電信、數據通信、太陽能、低電壓驅動器和服務器電源。 OptiMOS 2 產品系列具有 20V 及以上范圍，且提供不同的封裝類型可供選擇。
Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設備組合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能，實現更高效率、功率密度和成本效益。需要高質量和增強型保護功能的設計獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業標準的 MOSFET。
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 13 A |
| 最大漏源電壓 | 100 V |
| 封裝類型 | PG-TO-252 |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 80 mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 4V |
| 最小柵閾值電壓 | 2V |
| 最大功率耗散 | 31 W |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | -20 V、+20 V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 最高工作溫度 | +175 °C |
| 晶體管材料 | Si |
| 寬度 | 6.22mm |
| 典型柵極電荷@Vgs | 8 nC @ 10 V |
| 長度 | 6.73mm |
