從驅動簡單的車燈到發動機、車身或底盤應用中功率控制的復雜需求，Nexperia 功率半導體可以解決許多汽車系統的功率問題。
由于額定溫度為 175°C，因此 MOSFET 主要應用于對熱量要求苛刻的應用環境：電子助力轉向發動機管理、集成式起動器發電機傳輸控制、汽車照明制動 (ABS) 氣候控制
從驅動簡單的車燈到發動機、車身或底盤應用中功率控制的復雜需求，Nexperia 功率半導體可以解決許多汽車系統的功率問題。
從驅動簡單的車燈到發動機、車身或底盤應用中功率控制的復雜需求，Nexperia 功率半導體可以解決許多汽車系統的功率問題。
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 320 mA |
| 最大漏源電壓 | 60 V |
| 封裝類型 | TSSOP |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 6 |
| 最大漏源電阻值 | 6.5 Ω |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 1.6V |
| 最小柵閾值電壓 | 0.48V |
| 最大功率耗散 | 990 mW |
| 最大柵源電壓 | 20 V |
| 每片芯片元件數目 | 2 |
| 寬度 | 1.35mm |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
| 長度 | 2.2mm |
| 典型柵極電荷@Vgs | 0.6 nC @ 4.5 V |
