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      Infineon IPB60R055CFD7ATMA1 MOSFET

      訂 貨 號(hào):IPB60R055CFD7ATMA1      品牌:英飛凌_Infineon

      庫存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

      品牌商價(jià):¥0.00

      環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

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      公司基本資料信息







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      Infineon IPB60R055CFD7ATMA1 MOSFET
      產(chǎn)品詳細(xì)信息

      the Infineon 600V coolmos ? CFD7 superjunction mosfet IPB60R055CFD7 采用 D2PAK 封裝,特別適用于高功率開關(guān)電源中的諧振拓?fù)洌绶?wù)器、電信和 ev 充電站,在那里可以顯著提高效率。作為 CFD2 sj mosfet 系列的后續(xù)產(chǎn)品、它與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手相比、具有更低的柵極電荷、更好的關(guān)閉行為和高達(dá) 69% 的反向恢復(fù)電荷。

      超快主體二極管
      同類杰出的反向恢復(fù)充電( qrr )
      改進(jìn)了反向二極管 dv/dt 和 dif/dt 堅(jiān)固性
      最低 fom rds (接通) x qg 和 eoss
      同類杰出的 rds (接通) / 封裝


      屬性 數(shù)值
      通道類型 N
      最大連續(xù)漏極電流 38 A
      最大漏源電壓 600 V
      封裝類型 D2PAK (TO-263)
      引腳數(shù)目 3
      最大漏源電阻值 55 米Ω
      通道模式 增強(qiáng)
      最大柵閾值電壓 4.5V
      晶體管材料 Si
      每片芯片元件數(shù)目 1
      暫無

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