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      Vishay SiHB186N60EF-GE3 MOSFET
      
                  
      
                  
      
                      
       訂  貨 號：SiHB186N60EF-GE3        品牌：威世_Vishay
      
                      
       庫存數量：10                    品牌屬性：進口
      
                      
       品牌商價：￥0.00 
      
                      
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               Vishay SiHB186N60EF-GE3 MOSFET
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                            Vishay f 系列快速主體二極管的功率 mosfet 采用 D2PAK （圖 263 ）封裝類型。 
                        
                    
      
                
                
            
                
                
                
                    
      
                        
                            4th e 系列技術
      低品質因數 (FOM) Ron x Qg
      低有效電容（ co （ er ））
      減少切換和傳導損耗
      雪崩能量等級（ uis ） 
                        
                    
      
                
            

            
            

            
            

            
            
        
      

        
        
      

            
            

            
            
      
                
            
      

            
            

            
            

            
            
        
      

        
        
      
            

            

            
        

      
            
      
                屬性
                數值
            
      
            
                
      
                    通道類型
                    N
                
      
            
                
      
                    最大連續漏極電流
                    8.4 A
                
      
            
                
      
                    最大漏源電壓
                    600 V
                
      
            
                
      
                    封裝類型
                    D2PAK (TO-263)
                
      
            
                
      
                    引腳數目
                    3
                
      
            
                
      
                    最大漏源電阻值
                    0.168. Ω
                
      
            
                
      
                    最大柵閾值電壓
                    3 → 5V
                
      
            
                
      
                    每片芯片元件數目
                    1
                
      
            
        
      
             
      
              
              
              
              
              
              
            
      
            

            
      
          
      

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