Taiwan Semiconductor 60V , 50A , 28mΩ Ω , 3 引腳 N 溝道功率 MOSFET 具有單晶體管配置和增強型溝道模式。
通過 100% 雪崩測試
快速切換
符合 RoHS
工作溫度范圍 -55 °C 至 +150 °C
53W 最大功耗
柵極閾值電壓范圍介于 1.2V-2.5V 之間
屬性 | 數值 |
---|---|
通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 50 A |
最大漏源電壓 | 60 V |
封裝類型 | TO-252 |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數目 | 3 + Tab |
最大漏源電阻值 | 28 mΩ |
通道模式 | 增強 |
最大柵閾值電壓 | 2.5V |
最小柵閾值電壓 | 1.2V |
最大功率耗散 | 53 W |
晶體管配置 | 單 |
最大柵源電壓 | ±20 V |
寬度 | 5.8mm |
典型柵極電荷@Vgs | 28 nC @ 10 V |
長度 | 6.5mm |
最高工作溫度 | +150 °C |
每片芯片元件數目 | 1 |