Infineon 碳化硅 MOSFET 減少系統復雜性。它可直接從回程控制器驅動。提高效率和減少冷卻工作。支持更高頻率。
非常低的開關損耗；
短路耐受時間 3 μs；
完全可控制 dV/dt；
基準門臨界電壓，VGS(th) = 4.5V；
耐寄生接通，可應用
0V 關閉門電壓；穩定的主體二極管，可用于硬切換；
XT 互連技術，提供同類最佳的熱性能；
封裝彎曲和間隙距離 >6.1mm；
感應引腳，用于優化切換性能
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 18 A |
| 最大漏源電壓 | 1200 V |
| 封裝類型 | PG-TO263-7 |
| 安裝類型 | 通孔 |
