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      Infineon IPG20N04S4L07AATMA1 MOSFET

      訂 貨 號:IPG20N04S4L07AATMA1      品牌:英飛凌_Infineon

      庫存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

      品牌商價(jià):¥0.00

      環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

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      公司基本資料信息







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      Infineon IPG20N04S4L07AATMA1 MOSFET
      產(chǎn)品詳細(xì)信息

      Infineon 20V 的一系列 40V - 0.6m? n 通道汽車認(rèn)可功率 mosfet ,采用最新的最佳 mosfet 技術(shù),并采用多種封裝,可滿足各種需求,并實(shí)現(xiàn)低至 Optimos5 40V μ m 的 rds (接通)。新的最佳 mosfet 技術(shù)可實(shí)現(xiàn)低傳導(dǎo)損耗 (同類最佳的 rdson 性能)、低切換損耗(改進(jìn)的切換行為)、改進(jìn)的二極管恢復(fù)和 emc 行為。此 mosfet 技術(shù)采用最先進(jìn)的創(chuàng)新封裝、以實(shí)現(xiàn)最佳的產(chǎn)品性能和質(zhì)量。為了實(shí)現(xiàn)終極設(shè)計(jì)靈活性、汽車合格的高電阻器提供各種封裝、以滿足各種需求。Infineon 為客戶提供了電流容量、切換行為、可靠性、封裝尺寸和整體質(zhì)量等方面的穩(wěn)定改進(jìn)。新開發(fā)的集成半橋是一種創(chuàng)新且經(jīng)濟(jì)高效的封裝解決方案、適用于電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)和主體應(yīng)用。

      雙 n 通道邏輯電平 - 增強(qiáng)模式
      MSL1 高達(dá) 260°C 峰值回流焊接
      175°C 工作溫度


      屬性 數(shù)值
      通道類型 N
      最大連續(xù)漏極電流 20 A
      最大漏源電壓 40 V
      封裝類型 PG-TDSON
      安裝類型 表面貼裝
      引腳數(shù)目 8
      最大漏源電阻值 0.0072 o
      通道模式 增強(qiáng)
      最大柵閾值電壓 16V
      每片芯片元件數(shù)目 2
      暫無

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