英飛凌 CoolMOS C7 是一項針對高壓功率 MOSFET 的革命性技術(shù)，根據(jù)超結(jié) (SJ) 原理設計，由英飛凌技術(shù)開創(chuàng)。此系列將領(lǐng)先的超結(jié) MOSFET 供應商的經(jīng)驗與高級創(chuàng)新結(jié)合在一起。600V C7是有史以來第一個RDS（接通）A低于1Ohm*mm2的技術(shù)。 它適用于硬質(zhì)和軟質(zhì)切換（PFC 和高性能 LLC）。它的MOSFET dv/dt耐用性提高到120V/ns，并提高了效率。

通過降低開關(guān)損耗實現(xiàn)更高的系統(tǒng)效率
功率密度增加的解決方案得益于由于較小的封裝
適用于服務器、電信和太陽能等應用