STMicroelectronics 硬質合金功率 mosfet 使用 st 的 Advanced 和創新的 2nd generation sic mosfet 技術開發而成。該設備的每個裝置區域具有非常低的接通電阻和非常好的切換性能。
非常快速且堅固的固有主體二極管
低電容
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 33 A |
| 最大漏源電壓 | 1200 V |
| 封裝類型 | HiP247 |
| 引腳數目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 0.105 Ω |
| 通道模式 | 消耗 |
| 最大柵閾值電壓 | 5V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 晶體管材料 | SiC |
