國際整流器的英飛凌系列第五代 hex場 效應(yīng)晶體管利用先進(jìn)的處理技術(shù) Advanced on resistance for Infineon area 的導(dǎo)通電阻極 International Rectifier 。此優(yōu)勢結(jié)合了 ex場 效應(yīng)晶體管聞名的快速切換速度和耐震設(shè)備設(shè)計、可提供足夠的電平設(shè)備、為設(shè)計人員提供極其高效和可靠的設(shè)備、適用于各種應(yīng)用。so-8 經(jīng)改良通過自定義引線框、可增強熱特性和多模能力、使其特別適用于各種電源應(yīng)用。通過此改進(jìn)、多個設(shè)備可用于顯著減少板空間的應(yīng)用。該封裝設(shè)計用于汽相、紅外線用于波焊技術(shù)。
v 代技術(shù)
超低接通電阻
表面安裝
完全耐雪崩等級
雙 n 溝道 mosfet
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 6.6 A |
最大漏源電壓 | 20 V |
封裝類型 | SO-8 |
安裝類型 | 通孔 |
引腳數(shù)目 | 8 |
最大漏源電阻值 | 0.029. Ω |
通道模式 | 增強 |
最大柵閾值電壓 | 0.7V |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
晶體管材料 | Si |