STMicroelectronics 產品是基于最具創新性的超結 MDmesh DM9 技術的 N 通道功率 MOSFET，適用于具有很低單位面積 RDS 和快速恢復二極管的中高壓 MOSFET。硅基 DM9 技術受益于多漏制造工藝，可實現增強型器件結構。相應產品在所有硅基快速開關超結功率 MOSFET 中具有較低的導通電阻和柵極電荷，特別適用于需要更高功率密度和效率的應用。
達到硅基器件 FOM、導通 RDS 和 Qg 的全球最佳水平
更高的 VDSS 額定值
更高的 dv/dt 性能
卓越的開關性能
易于驅動
100% 雪崩測試
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 55 A |
| 最大漏源電壓 | 650 V |
| 封裝類型 | TO-220 |
| 安裝類型 | 通孔 |
