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      Infineon ISZ0703NLSATMA1 MOSFET
      
                  
      
                  
      
                      
       訂  貨 號：ISZ0703NLSATMA1        品牌：英飛凌_Infineon
      
                      
       庫存數(shù)量：10                    品牌屬性：進口
      
                      
       品牌商價：￥0.00 
      
                      
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               Infineon ISZ0703NLSATMA1 MOSFET
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                            Infineon 的 OptiMOS PD 功率 MOSFET 60 V 設計用于 USB-PD 和適配器應用。該產品提供快速上升和優(yōu)化的交付時間。用于功率輸送的 OptiMOS 低壓 MOSFET 使設計能夠減少部件，從而降低 BOM 成本。OptiMOS PD 采用緊湊輕便的封裝，提供優(yōu)質產品。 
                        
                    
      
                
                
            
                
                
                
                    
      
                        
                            邏輯級別可用性
      極佳的熱行為
      通過 100% 雪崩測試 
                        
                    
      
                
            

            
            

            
            

            
            
        
      

        
        
      

            
            

            
            
      
                
            
      

            
            

            
            

            
            
        
      

        
        
      
            

            

            
        

      
            
      
                屬性
                數(shù)值
            
      
            
                
      
                    通道類型
                    N
                
      
            
                
      
                    最大連續(xù)漏極電流
                    56 A
                
      
            
                
      
                    最大漏源電壓
                    60 V
                
      
            
                
      
                    封裝類型
                    PQFN 3.3 x 3.3
                
      
            
                
      
                    安裝類型
                    表面貼裝
                
      
            
                
      
                    引腳數(shù)目
                    8
                
      
            
                
      
                    最大漏源電阻值
                    0.0073 O ， 0.0092 O
                
      
            
                
      
                    最大柵閾值電壓
                    2.3V
                
      
            
                
      
                    晶體管材料
                    Si
                
      
            
                
      
                    每片芯片元件數(shù)目
                    1
                
      
            
        
      
             
      
              
              
              
              
              
              
            
      
            

            
      
          
      

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