STMicroelectronics 功率 mosfet 利用 strippet F7 技術(shù)、采用增強的溝道柵極結(jié)構(gòu)、可產(chǎn)生極低的通態(tài)電阻、同時還可減少內(nèi)部電容和柵極電荷、以實現(xiàn)更快、更高效的切換。
在市場上最低的 rds (接通)中
出色的 fom (品質(zhì)因數(shù))
低 crs/ciss 比、可實現(xiàn) emi 抗擾性
高耐雪崩性
屬性 | 數(shù)值 |
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通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 120 A |
最大漏源電壓 | 40 V |
封裝類型 | Powerflat 5x6 |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數(shù)目 | 8 |
最大漏源電阻值 | 0.11 o |
最大柵閾值電壓 | 2.5V |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |