STMicroelectronics 高壓 N 溝道功率 MOSFET 是 Mdmesh DM6 快速恢復二極管系列的一部分，與上一代 MDmesh 相比，DM6 具有非常低的恢復電荷（Qrr）、恢復時間（trr），在每個區域的 RDS（導通）取得卓越提升，兼具最嚴苛的高效橋接拓撲結構和 ZVS 相移轉換器市場所需的最有效切換行為。
符合 AEC-Q101 標準
快速恢復二極管
與上一代相比，每個區域的 RDS（導通）較低
低柵極電荷、低輸入電容和電阻
100% 通過雪崩測試
dv/dt 極為堅固
齊納保護
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 37 A |
| 最大漏源電壓 | 650 V |
| 封裝類型 | TO247-4 |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
