Infineon 的 OptiMOS PD 功率 MOSFET 80 V 專為 USB-PD 和適配器應用而設計。它采用 SuperSO8 封裝，可提供快速上升和優化的交付時間。用于功率輸送的 OptiMOS 低壓 MOSFET 使設計能夠減少部件，從而降低 BOM 成本。OptiMOS PD 采用緊湊輕便的封裝，提供優質產品。
邏輯級別可用性
極佳的熱行為
通過 100% 雪崩測試
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 66 A |
| 最大漏源電壓 | 80 V |
| 封裝類型 | SO8 |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 8 |
| 最大漏源電阻值 | 0.0073 O ， 0.0095 O |
| 最大柵閾值電壓 | 2.3V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 晶體管材料 | Si |
