STMicroelectronics 碳化硅功率 MOSFET 器件采用 ST 的先進、創(chuàng)新第 3 代 SiC MOSFET 技術(shù)開發(fā)。此器件在整個溫度范圍內(nèi)具有非常低的 RDS(on),而且電容小且開關(guān)速度超快,可在頻率、能效、系統(tǒng)尺寸和減重方面實現(xiàn)更高的應(yīng)用性能。
AEC-Q101 認證,
整個溫度范圍內(nèi)非常低的 RDS(接通),高
速切換性能,
非常快速且堅固的本質(zhì)主體二極管,
用于提高效率的源感應(yīng)引腳
屬性 | 數(shù)值 |
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通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 30 A |
最大漏源電壓 | 650 V |
封裝類型 | H2PAK-7 |
安裝類型 | 表面貼裝 |