STMicroelectronics M6 技術融合了 sj 系列眾所周知且整合的 mdmesh 最新技術。它通過其新的 M6 技術建立在上一代 mdmesh 設備的基礎上、該技術將每個區(qū)域的出色 rds (接通)改進與可用的最有效切換行為之一相結合、以及用戶友好的體驗、以實現(xiàn)最大的最終應用效率。
減少切換損耗
與上一代相比、每區(qū)域的 rds (接通)更低
低柵極輸入電阻
通過 100% 雪崩測試
提供齊納保護
屬性 | 數(shù)值 |
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通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 8 A |
最大漏源電壓 | 600 V |
封裝類型 | DPAK |
引腳數(shù)目 | 3 |
最大漏源電阻值 | 0.5 Ω |
通道模式 | 增強 |
最大柵閾值電壓 | 4.75V |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
晶體管材料 | Si |