STMicroelectronics 碳化硅功率 MOSFET 的生產利用了寬帶隙材料的 Advanced 創新特性。這可在每個裝置區域產生無與倫比的接通電阻和非常好的切換性能，幾乎不受溫度影響。SiC 材料的卓越的熱特性允許設計人員使用工業標準輪廓，顯著提高了熱性能。這些功能使該設備特別適用于高效率和高功率密度應用。
非常高的工作接點溫度能力 (TJ = 200 °C)
非常快速且堅固的本征主體二極管
極低的柵極電荷和輸入電容
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 91 A |
| 最大漏源電壓 | 1200 V |
| 封裝類型 | Hip-247-3. |
| 安裝類型 | 通孔 |
| 引腳數目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 0.021 Ω |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 4.9V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 晶體管材料 | SiC |
