STMicroelectronics N 溝道功率場效應管 (MOSFET) 運用帶增強型溝槽柵極結構的 STripFET F7 技術 ,可增強線性模式耐受能力和提供更寬的 SOA 性能,并且具有超低導通電阻的特點。因此,這款功率場效應管可確保線性模式和切換操作之間最佳平衡。
同類最佳的 SOA 性能
高電流浪涌能力
超低導通電阻
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 180 A |
最大漏源電壓 | 100 V |
封裝類型 | H2PAK-2 |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數(shù)目 | 3 |
通道模式 | 增強 |
最大柵閾值電壓 | 4.5V |