Infineon mosfet 設計又聞名于“金屬氧化物半導體場效應晶體管”。MOSFET 是由電容器控制的晶體管設備。“場效應”代表設備受電壓控制。MOSFET 的作用是控制從源極到漏極端子的電流。
無鉛引線電鍍
符合 RoHS
經過 100% 雪崩測試、具有出色的熱阻
無鹵、符合 IEC61249 - 2-23
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 20 A |
| 最大漏源電壓 | 30 V |
| 封裝類型 | Pg/wison-8. |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 8 |
| 最大漏源電阻值 | 0.018. Ω |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 2V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 晶體管材料 | 硅 |
