STMicroelectronics 功率 mosfet 是使用 st Advanced and innovative 2nd generation sic mosfet 技術開發的。該設備的每個裝置區域具有非常低的接通電阻和非常好的切換性能。接通電阻和切換損耗的變化幾乎獨立于接點溫度。
低電容
非常快速且堅固的固有主體二極管
導通電阻與之間的差異非常小溫度
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 45 A |
| 最大漏源電壓 | 650 V |
| 封裝類型 | HiP247 |
| 引腳數目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 0.072 Ω |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 3.2V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 晶體管材料 | SiC |
