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      Microchip TN0110N3-G MOSFET

      訂 貨 號:TN0110N3-G      品牌:Microchip

      庫存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

      品牌商價:¥0.00

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      Microchip TN0110N3-G MOSFET
      產(chǎn)品詳細(xì)信息

      這款低閾值增強型(常閉)晶體管采用垂直 DMOS 結(jié)構(gòu)和久經(jīng)考驗的硅柵極制造工藝。該組合可使設(shè)備具有雙極性晶體管的功率處理能力,以及 MOS 設(shè)備固有的高輸入阻抗和正溫度系數(shù)。所有 MOS 結(jié)構(gòu)的特性確保該設(shè)備能夠免受熱耗散和熱感應(yīng)次級擊穿的影響。垂直 DMOS FET 非常適合各種需要極低閾值電壓、高擊穿電壓、高輸入阻抗、低輸入電容和快速切換速度的開關(guān)和放大應(yīng)用。

      低閾值 - 2.0 V(最大值)
      高輸入阻抗
      低輸入電容 - 50 pF(典型值)
      切換速度快
      低接通電阻
      無次級擊穿
      低輸入和輸出泄漏


      屬性 數(shù)值
      通道類型 N
      最大連續(xù)漏極電流 350 mA
      最大漏源電壓 100 V
      封裝類型 TO-92
      安裝類型 通孔
      引腳數(shù)目 3
      最大漏源電阻值 4.5 Ω
      通道模式 增強
      最大柵閾值電壓 2V
      最小柵閾值電壓 0.6V
      最大功率耗散 1 W
      晶體管配置
      最大柵源電壓 20 V
      每片芯片元件數(shù)目 1
      寬度 4.06mm
      最高工作溫度 +150 °C
      長度 5.08mm
      暫無

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