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      Microchip TN0110N3-G MOSFET

      訂 貨 號:TN0110N3-G      品牌:Microchip

      庫存數量:10             品牌屬性:進口

      品牌商價:¥0.00

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      Microchip TN0110N3-G MOSFET
      產品詳細信息

      這款低閾值增強型(常閉)晶體管采用垂直 DMOS 結構和久經考驗的硅柵極制造工藝。該組合可使設備具有雙極性晶體管的功率處理能力,以及 MOS 設備固有的高輸入阻抗和正溫度系數。所有 MOS 結構的特性確保該設備能夠免受熱耗散和熱感應次級擊穿的影響。垂直 DMOS FET 非常適合各種需要極低閾值電壓、高擊穿電壓、高輸入阻抗、低輸入電容和快速切換速度的開關和放大應用。

      低閾值 - 2.0 V(最大值)
      高輸入阻抗
      低輸入電容 - 50 pF(典型值)
      切換速度快
      低接通電阻
      無次級擊穿
      低輸入和輸出泄漏


      屬性 數值
      通道類型 N
      最大連續漏極電流 350 mA
      最大漏源電壓 100 V
      封裝類型 TO-92
      安裝類型 通孔
      引腳數目 3
      最大漏源電阻值 4.5 Ω
      通道模式 增強
      最大柵閾值電壓 2V
      最小柵閾值電壓 0.6V
      最大功率耗散 1 W
      晶體管配置
      最大柵源電壓 20 V
      每片芯片元件數目 1
      寬度 4.06mm
      最高工作溫度 +150 °C
      長度 5.08mm
      暫無

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