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      Infineon BSZ099N06LS5ATMA1 MOSFET
      
                  
      
                  
      
                      
       訂  貨 號：BSZ099N06LS5ATMA1        品牌：英飛凌_Infineon
      
                      
       庫存數量：10                    品牌屬性：進口
      
                      
       品牌商價：￥0.00 
      
                      
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               Infineon BSZ099N06LS5ATMA1 MOSFET
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                            the Infineon ? 系列 n 溝道功率 mosfet 。它非常適用于無線充電、適配器和電信應用。該設備具有低柵極電荷（ q g ）、可減少切換損耗、而不會影響傳導損耗。 
                        
                    
      
                
                
            
                
                
                
                    
      
                        
                            通過 100% 雪崩測試
      出色的耐熱性能
      無鉛引線電鍍 
                        
                    
      
                
            

            
            

            
            

            
            
        
      

        
        
      

            
            

            
            
      
                
            
      

            
            

            
            

            
            
        
      

        
        
      
            

            

            
        

      
            
      
                屬性
                數值
            
      
            
                
      
                    通道類型
                    N
                
      
            
                
      
                    最大連續漏極電流
                    46 A
                
      
            
                
      
                    最大漏源電壓
                    60 V
                
      
            
                
      
                    封裝類型
                    Tsdson -8 fl
                
      
            
                
      
                    安裝類型
                    表面貼裝
                
      
            
                
      
                    引腳數目
                    8
                
      
            
                
      
                    最大漏源電阻值
                    0.0099 Ω
                
      
            
                
      
                    最大柵閾值電壓
                    2.3V
                
      
            
                
      
                    每片芯片元件數目
                    1
                
      
            
                
      
                    晶體管材料
                    Si
                
      
            
        
      
             
      
              
              
              
              
              
              
            
      
            

            
      
          
      

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