Infineon CoolSiC 1200 V、20 mΩ SiC MOSFET 采用 TO247-4 封裝，采用最先進的溝槽半導體工藝，是性能與可靠性的良好結合，包括在 1200 V 開關中看到的最低柵極電荷和設備電容水平，內(nèi)部換向證明體二極管無反向恢復損耗。CoolSiC MOSFET 是硬開關和諧振開關拓撲結構的理想選擇，如功率因素校正（PFC）電路、雙向拓撲結構和 DC-DC 轉換器或 DC-AC 逆變器。

VDSS - T - 25°C 時為 1200 V
IDCC - T - 25°C 時為 98 A
RDS（on） - VGS - 18 V、T - 25°C 時為 19 MΩ
非常低的切換損耗
短路耐受時間 3 微秒
基準門限電壓，VGS（th） - 4.2 V
對寄生性開啟的穩(wěn)健性，可應用 0V 的關斷門電壓
用于硬換向的穩(wěn)健體二極管
XT 互連技術實現(xiàn)了同類最佳的熱性能