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      Infineon IPB017N08N5ATMA1 MOSFET
      
                  
      
                  
      
                      
       訂  貨 號：IPB017N08N5ATMA1        品牌：英飛凌_Infineon
      
                      
       庫存數量：10                    品牌屬性：進口
      
                      
       品牌商價：￥0.00 
      
                      
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               Infineon IPB017N08N5ATMA1 MOSFET
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                            the Infineon ? 5 系列 n 溝道功率 mosfet 。此系列設備專門設計用于電信和服務器電源中的同步整流。此外、它們還可用于其他工業(yè)應用、如太陽能、低電壓驅動器和適配器。 
                        
                    
      
                
                
            
                
                
                
                    
      
                        
                            極低接通電阻 rds （接通）
      N 通道，正常電平
      通過 100% 雪崩測試
      無鉛電鍍 
                        
                    
      
                
            

            
            

            
            

            
            
        
      

        
        
      

            
            

            
            
      
                
            
      

            
            

            
            

            
            
        
      

        
        
      
            

            

            
        

      
            
      
                屬性
                數值
            
      
            
                
      
                    通道類型
                    N
                
      
            
                
      
                    最大連續(xù)漏極電流
                    177 a
                
      
            
                
      
                    最大漏源電壓
                    80 V
                
      
            
                
      
                    封裝類型
                    D2PAK (TO-263)
                
      
            
                
      
                    安裝類型
                    表面貼裝
                
      
            
                
      
                    引腳數目
                    3
                
      
            
                
      
                    最大漏源電阻值
                    0.0017. Ω
                
      
            
                
      
                    最大柵閾值電壓
                    3.8V
                
      
            
                
      
                    每片芯片元件數目
                    1
                
      
            
                
      
                    晶體管材料
                    Si
                
      
            
        
      
             
      
              
              
              
              
              
              
            
      
            

            
      
          
      

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