STMicroelectronics 高電壓 n 溝道功率 mosfet 是 mmesh DM6 快速恢復(fù)二極管系列的一部分。與之前的 mdmesh 快速生成相比、 DM6 將極低的恢復(fù)電荷( qrr )、恢復(fù)時間( trr )和每個區(qū)域的 rds (接通)的極佳改進(jìn)結(jié)合起來、具有市場上最有效的切換行為之一、可用于最嚴(yán)苛的高效橋接拓?fù)浜?zvs 相移轉(zhuǎn)換器。
快速恢復(fù)體二極管
與上一代相比、每區(qū)域的 rds (接通)更低
低柵極電荷、輸入電容和電阻
通過 100% 雪崩測試
dv/dt 穩(wěn)定極高
提供齊納保護(hù)
屬性 | 數(shù)值 |
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通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 33 A |
最大漏源電壓 | 650 V |
封裝類型 | TO-247 |
引腳數(shù)目 | 3 |
最大漏源電阻值 | 0.091 Ω |
通道模式 | 增強(qiáng) |
最大柵閾值電壓 | 4.75V |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |