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      Infineon IPB65R190CFDAATMA1 MOSFET

      訂 貨 號:IPB65R190CFDAATMA1      品牌:英飛凌_Infineon

      庫存數(shù)量:10             品牌屬性:進口

      品牌商價:¥0.00

      環(huán) 球 價: 登陸后可查看

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      Infineon IPB65R190CFDAATMA1 MOSFET
      產(chǎn)品詳細信息

      the Infineon 650V cool mos cfda 超級接點( sj ) mosfet 是 the 英飛凌公司第二代市場領先的汽車高壓 cool mos 功率 mosfet 。除了汽車行業(yè)所需的高質(zhì)量和可靠性的聞名屬性外、 650V cool mos cfda 系列還提供集成快速主體二極管。

      首款 650V 汽車認證技術、帶集成快速主體二極管 在市場上
      硬換向期間有限電壓過沖–自限制 di/dt 和 dv/dt
      低柵極電荷值 q g
      車身二極管和上的重復換向時 q rr 低 低 q oss
      減少接通和延時時間
      由于擊穿電壓較高、安全裕度增加
      減少 emi 外觀、易于設計
      更好的輕負載效率
      降低切換損耗
      可提供更高的切換頻率和 / 或更高的占空比
      高質(zhì)量和高可靠性


      屬性 數(shù)值
      通道類型 N
      最大連續(xù)漏極電流 57.2 a
      最大漏源電壓 650 V
      封裝類型 Pg- TO263
      安裝類型 表面貼裝
      最大漏源電阻值 0.19 o
      通道模式 增強
      最大柵閾值電壓 4.5V
      每片芯片元件數(shù)目 2
      暫無

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