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      Infineon FF11MR12W1M1B11BOMA1 MOSFET

      訂 貨 號:FF11MR12W1M1B11BOMA1      品牌:英飛凌_Infineon

      庫存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

      品牌商價(jià):¥0.00

      環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

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      公司基本資料信息







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      Infineon FF11MR12W1M1B11BOMA1 MOSFET
      產(chǎn)品詳細(xì)信息

      Infineon 1B 1200 v 、 11 mΩ 半橋模塊采用 coolsic mosfet 、 ntc 和 presfit 觸點(diǎn)技術(shù)。

      高電流密度
      同類最佳的開關(guān)和傳導(dǎo)損耗
      低電感設(shè)計(jì)
      最高效率、可減少冷卻工作量
      更高頻率操作
      功率密度增加
      優(yōu)化客戶的開發(fā)周期時(shí)間和成本


      屬性 數(shù)值
      通道類型 N
      最大連續(xù)漏極電流 100 A
      最大漏源電壓 1200 V
      封裝類型 模塊
      安裝類型 螺絲安裝
      最大漏源電阻值 0.016. Ω
      最大柵閾值電壓 20V
      每片芯片元件數(shù)目 4
      暫無

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