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      onsemi NVHL080N120SC1 MOSFET

      訂 貨 號:NVHL080N120SC1      品牌:安森美_Onsemi

      庫存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

      品牌商價:¥0.00

      環(huán) 球 價: 登陸后可查看

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      onsemi NVHL080N120SC1 MOSFET
      產(chǎn)品詳細(xì)信息

      碳化硅 (SIC) MOSFET 采用全新的技術(shù),與硅相比,它具有卓越的切換性能和更高的可靠性。此外、低電阻和緊湊型芯片尺寸可確保低電容和柵極電荷。因此,系統(tǒng)的優(yōu)勢包括最高效率、 Faster operation frequency 、增加功率密度、降低 EMI 和減小系統(tǒng)大小。

      1200V 等級
      最大 RDS (接通) = 110mΩ Ω ( Vgs = 20V 時)、 ID = 20A
      高速開關(guān)和低電容
      器件不含鉛
      應(yīng)用
      PFC
      OBC
      最終產(chǎn)品
      用于 EV/PHEV 的汽車直流 - 直流轉(zhuǎn)換器
      汽車車載充電器
      汽車輔助電機(jī)驅(qū)動


      屬性 數(shù)值
      通道類型 N
      最大連續(xù)漏極電流 44 A
      最大漏源電壓 1200 V
      封裝類型 TO-247
      安裝類型 通孔
      引腳數(shù)目 3
      最大漏源電阻值 162 mΩ
      通道模式 增強
      最大柵閾值電壓 4.3V
      最小柵閾值電壓 1.8V
      最大功率耗散 348 W
      晶體管配置
      最大柵源電壓 -15 V 、 +25 V
      最高工作溫度 +175 °C
      晶體管材料 SiC
      長度 15.87mm
      寬度 4.82mm
      每片芯片元件數(shù)目 1
      典型柵極電荷@Vgs 56 常閉 @ 20 V
      暫無

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