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      Fairchild Semiconductor FDMA1029PZ MOSFET

      訂 貨 號:FDMA1029PZ      品牌:IRC

      庫存數(shù)量:10             品牌屬性:進口

      品牌商價:¥0.00

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      Fairchild Semiconductor FDMA1029PZ MOSFET
      產(chǎn)品詳細信息

      PowerTrench? 雙 P 通道 MOSFET,F(xiàn)airchild Semiconductor

      PowerTrench? MOSFET 是優(yōu)化的電源開關(guān),可提高系統(tǒng)效率和功率密度。 它們組合了小柵極電荷 (Qg)、小反向恢復電荷 (Qrr) 和軟性反向恢復主體二極管,有助于快速切換交流/直流電源中的同步整流。
      最新的 PowerTrench? MOSFET 采用屏蔽柵極結(jié)構(gòu),可提供電荷平衡。 利用這一先進技術(shù),這些設(shè)備的 FOM(品質(zhì)因素)顯著低于前一代的 FOM。
      PowerTrench? MOSFET 的軟性主體二極管性能可無需緩沖電路或替換更高額定電壓的 MOSFET。

      半導體 MOSFET 晶體管,半

      在半自動模式下, MOSFET 器件的組合相當龐大,包括高電壓 (250V)> 和低電壓 (250V)< 類型。先進的硅技術(shù)提供更小的芯片尺寸,其整合到多種工業(yè)標準和耐熱增強型封裝中。
      在半 MOSFET 上,可提供卓越的設(shè)計可靠性,從降低的電壓峰值和過沖,到降低接點電容和反向恢復電荷,以及消除額外的外部組件,從而使系統(tǒng)保持較長的運行時間。


      屬性 數(shù)值
      通道類型 P
      最大連續(xù)漏極電流 3.1 A
      最大漏源電壓 20 V
      封裝類型 MLP
      安裝類型 表面貼裝
      引腳數(shù)目 6
      最大漏源電阻值 141 mΩ
      通道模式 增強
      最大功率耗散 1.4 W
      最大柵源電壓 -12 V、+12 V
      典型柵極電荷@Vgs 7 nC @ 10 V
      每片芯片元件數(shù)目 2
      長度 2mm
      最高工作溫度 +150 °C
      寬度 2mm
      暫無

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