on ON Semiconductor iii 系列 n 溝道 800V mosfet 針對(duì)回飛轉(zhuǎn)換器的主開(kāi)關(guān)進(jìn)行了優(yōu)化、憑借優(yōu)化的設(shè)計(jì)、可在不影響 emi 性能的情況下降低開(kāi)關(guān)損耗和外殼溫度。此外、內(nèi)部齊納二極管顯著提高了 esd 能力。由于其在開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用（如筆記本電腦適配器、音頻、照明、 atx 電源和工業(yè)電源）中的出色性能、此新系列使應(yīng)用變得更加高效、緊湊、冷卻和堅(jiān)固。

連續(xù)漏極電流額定值為 13A
漏極到電源接通電阻額定值為 360mohm
超低柵極電荷
輸出電容中存儲(chǔ)的能量低
通過(guò) 100% 雪崩測(cè)試
封裝類(lèi)型為 d-pak