產(chǎn)品分類

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      Fairchild Semiconductor FDFMA2P857 MOSFET

      訂 貨 號(hào):FDFMA2P857      品牌:IRC

      庫(kù)存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

      品牌商價(jià):¥0.00

      環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

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      Fairchild Semiconductor FDFMA2P857 MOSFET
      產(chǎn)品詳細(xì)信息

      P 通道 PowerTrench? MOSFET MOSFET,帶肖特基二極管,F(xiàn)airchild Semiconductor

      設(shè)計(jì)用于手機(jī)及其他超便攜式應(yīng)用中的電池充電開關(guān)
      獨(dú)立連接的低正向電壓肖特基二極管可實(shí)現(xiàn)最小的傳導(dǎo)損耗

      半導(dǎo)體 MOSFET 晶體管,半

      在半自動(dòng)模式下, MOSFET 器件的組合相當(dāng)龐大,包括高電壓 (250V)> 和低電壓 (250V)< 類型。先進(jìn)的硅技術(shù)提供更小的芯片尺寸,其整合到多種工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和耐熱增強(qiáng)型封裝中。
      在半 MOSFET 上,可提供卓越的設(shè)計(jì)可靠性,從降低的電壓峰值和過(guò)沖,到降低接點(diǎn)電容和反向恢復(fù)電荷,以及消除額外的外部組件,從而使系統(tǒng)保持較長(zhǎng)的運(yùn)行時(shí)間。


      屬性 數(shù)值
      通道類型 P
      最大連續(xù)漏極電流 3 A
      最大漏源電壓 20 V
      封裝類型 MLP
      安裝類型 表面貼裝
      引腳數(shù)目 6
      最大漏源電阻值 240 mΩ
      通道模式 增強(qiáng)
      最大柵閾值電壓 1.3V
      最小柵閾值電壓 0.4V
      最大功率耗散 1.4 W
      晶體管配置
      最大柵源電壓 -8 V、+8 V
      寬度 2mm
      每片芯片元件數(shù)目 1
      最高工作溫度 +150 °C
      長(zhǎng)度 2mm
      典型柵極電荷@Vgs 4 nC @ 10 V
      晶體管材料 Si
      暫無(wú)

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