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      STMicroelectronics SCTL35N65G2V MOSFET

      訂 貨 號(hào):SCTL35N65G2V      品牌:Tronics

      庫(kù)存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

      品牌商價(jià):¥0.00

      環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

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      公司基本資料信息







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      STMicroelectronics SCTL35N65G2V MOSFET
      產(chǎn)品詳細(xì)信息

      The STMicroelectronics SCTL35N65G2V silicon carbide power MOSFET device has been developed using advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology, features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance.

      Very fast and robust intrinsic body diode
      Low capacitance
      Source sensing pin for increased efficiency


      屬性 數(shù)值
      通道類型 N
      最大連續(xù)漏極電流 40 A
      最大漏源電壓 650 V
      封裝類型 PowerFLAT 8x8 HV
      安裝類型 表面貼裝
      引腳數(shù)目 4
      最大漏源電阻值 0.067 O
      通道模式 增強(qiáng)
      最大柵閾值電壓 5V
      每片芯片元件數(shù)目 1
      晶體管材料 SiC
      暫無

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