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      onsemi NVBLS1D7N08H MOSFET
      
                  
      
                  
      
                      
       訂  貨 號：NVBLS1D7N08H        品牌：安森美_Onsemi
      
                      
       庫存數量：10                    品牌屬性：進口
      
                      
       品牌商價：￥0.00 
      
                      
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               onsemi NVBLS1D7N08H MOSFET
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                            ON Semiconductor 汽車功率 MOSFET 采用收費封裝，提供高效設計和高熱性能。漏極電流為 241.3 A 
                        
                    
      
                
                
            
                
                
                
                    
      
                        
                            有效減少傳導損耗
      有效減少驅動器損耗
      低接通狀態電阻 
                        
                    
      
                
            

            
            

            
            

            
            
        
      

        
        
      

            
            

            
            
      
                
            
      

            
            

            
            

            
            
        
      

        
        
      
            

            

            
        

      
            
      
                屬性
                數值
            
      
            
                
      
                    通道類型
                    N
                
      
            
                
      
                    最大連續漏極電流
                    241.3 A
                
      
            
                
      
                    最大漏源電壓
                    80 V
                
      
            
                
      
                    封裝類型
                    H-PSOF8L
                
      
            
                
      
                    安裝類型
                    表面貼裝
                
      
            
                
      
                    引腳數目
                    8
                
      
            
                
      
                    最大漏源電阻值
                    0.0017 Ω
                
      
            
                
      
                    最大柵閾值電壓
                    4V
                
      
            
                
      
                    每片芯片元件數目
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