新型 MDMESH ? M6 技術融合了著名的整合式 MDSJ MOSFET 系列的最新進步。STMicroelectronics 通過其全新 M6 技術構建了上一代 MDMESH 設備、該技術將出色的 RDS （接通）每個區域改進與最有效的交換行為之一結合在一起、并提供用戶友好的體驗、以實現最大的最終應用效率。
減少切換損耗
與上一代相比、每個區域的 RDS （接通）更低
低澆口輸入電阻
提供齊納保護
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 5.5 A |
| 封裝類型 | PowerFLAT ? |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 8 |
| 最大漏源電阻值 | 660 mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 4.75V |
| 最小柵閾值電壓 | 3.25V |
| 最大功率耗散 | 48 W |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | ±25 V |
| 長度 | 6mm |
| 寬度 | 5mm |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
| 典型柵極電荷@Vgs | 8.8 NC @ 10 V |
