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      Fairchild Semiconductor FDMS3672 MOSFET

      訂 貨 號:FDMS3672      品牌:IRC

      庫存數(shù)量:10             品牌屬性:進口

      品牌商價:¥0.00

      環(huán) 球 價: 登陸后可查看

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      Fairchild Semiconductor FDMS3672 MOSFET
      產(chǎn)品詳細信息

      UltraFET? MOSFET,F(xiàn)airchild Semiconductor

      UItraFET? Trench MOSFET 組合了在功率轉(zhuǎn)換應用中實現(xiàn)基準效率的特性。 該設備可耐受雪崩模式中的高能量,且二極管展現(xiàn)出非常短的反向恢復時間和積累電荷。 為高頻率時的效率、最低 RDS(接通)、低 ESR 和低總柵極電荷和 Miller 柵極電荷進行了優(yōu)化。
      應用:高頻直流-直流轉(zhuǎn)換器、開關調(diào)節(jié)器、電動機驅(qū)動器、低電壓總線開關和電源管理。

      半導體 MOSFET 晶體管,半

      在半自動模式下, MOSFET 器件的組合相當龐大,包括高電壓 (250V)> 和低電壓 (250V)< 類型。先進的硅技術提供更小的芯片尺寸,其整合到多種工業(yè)標準和耐熱增強型封裝中。
      在半 MOSFET 上,可提供卓越的設計可靠性,從降低的電壓峰值和過沖,到降低接點電容和反向恢復電荷,以及消除額外的外部組件,從而使系統(tǒng)保持較長的運行時間。


      屬性 數(shù)值
      通道類型 N
      最大連續(xù)漏極電流 41 A
      最大漏源電壓 100 V
      封裝類型 Power 56
      安裝類型 表面貼裝
      引腳數(shù)目 8
      最大漏源電阻值 40 mΩ
      通道模式 增強
      最小柵閾值電壓 2V
      最大功率耗散 78 W
      最大柵源電壓 -20 V、+20 V
      長度 5mm
      寬度 6mm
      典型柵極電荷@Vgs 31 nC @ 10 V
      每片芯片元件數(shù)目 1
      最高工作溫度 +150 °C
      暫無

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