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Infineon IRFR5305TRLPBF MOSFET

訂貨號(hào)：IRFR5305TRLPBF 品牌：國際整流器_IR

庫存數(shù)量：10 品牌屬性：進(jìn)口

品牌商價(jià)：￥0.00

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Infineon P通道功率MOSFET 40V到55V

Infineon的分立式HEXFET?功率MOSFET系列包括采用表面安裝和引線封裝的P通道器件，以及可應(yīng)對(duì)幾乎所有電路板布局和散熱設(shè)計(jì)難題的外形尺寸。在整個(gè)系列內(nèi)，電阻基準(zhǔn)降低了傳導(dǎo)損耗，使設(shè)計(jì)人員能夠提供最佳的系統(tǒng)效率。

Infineon IRFR5305 是 55V 單 P 通道 HEXFET 功率 MOSFET ，采用 D-Pak 封裝。D-Pak 設(shè)計(jì)用于使用汽相，紅外或波焊技術(shù)進(jìn)行表面安裝。

Advanced 工藝技術(shù)
快速切換
完全耐雪崩等級(jí)
無導(dǎo)線

MOSFET 晶體管，Infineon

Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設(shè)備組合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能，實(shí)現(xiàn)更高效率、功率密度和成本效益。需要高質(zhì)量和增強(qiáng)型保護(hù)功能的設(shè)計(jì)獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 MOSFET。

屬性	數(shù)值
通道類型	P
最大連續(xù)漏極電流	31 A
最大漏源電壓	55 V
封裝類型	D-PAK
安裝類型	表面貼裝
引腳數(shù)目	3
最大漏源電阻值	65 mΩ
通道模式	增強(qiáng)
最大柵閾值電壓	4V
最小柵閾值電壓	2V
最大功率耗散	110 W
晶體管配置	單
最大柵源電壓	20 V
每片芯片元件數(shù)目	1
寬度	7.49mm
長度	6.73mm
典型柵極電荷@Vgs	63 nC @ 10 V
最高工作溫度	+175 °C

暫無

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