產(chǎn)品分類 
         
         
        
         
      
       
      
     
      
   
      
      
       
    
    

   
      
     
      
        
      
         
      
         
      分類：
               
       工業(yè)電氣產(chǎn)品    工業(yè)控制產(chǎn)品    傳感測量產(chǎn)品    儀表工具產(chǎn)品    工業(yè)電子產(chǎn)品    機械設(shè)備產(chǎn)品   
      
         
      
       
      
       
      
         
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      Infineon IPD60R600P6BTMA1 MOSFET
      
                  
      
                  
      
                      
       訂  貨 號：IPD60R600P6BTMA1        品牌：英飛凌_Infineon
      
                      
       庫存數(shù)量：10                    品牌屬性：進口
      
                      
       品牌商價：￥0.00 
      
                      
       環(huán) 球 價：
                                     登陸后可查看
                                   
                      
                  
      
                  
      
               
      
               
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      公司基本資料信息
      
   



      

      



      

      
          
   
        
      
        
      
     
      
      
      
           
      
                
        
                   
      • 關(guān)聯(lián)產(chǎn)品 
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      • 產(chǎn)品介紹 
        • 
             
      • 產(chǎn)品屬性
        • 
             
      • 相關(guān)資料
        • 
             
      • 產(chǎn)品評價（0）
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               Infineon IPD60R600P6BTMA1 MOSFET
      產(chǎn)品詳細(xì)信息
      

        
        
      

            
            
                
                    
                        
      Infineon CoolMOS?E6/P6 系列功率 MOSFET
      
                    
                
                
                
            
                
                
                    
      
                        
                            Infineon 系列的 CoolMOS?E6 和 P6 系列 MOSFET。 這些高效率設(shè)備可用于多種應(yīng)用，包括功率因數(shù)校正 (PFC)、照明和消費設(shè)備以及太陽能、電信和服務(wù)器。   
                        
                    
      
                
                
            

            
            
      
                
            
      

            
            

            
            

            
            
        
      

        
        
      
            
        
      

        
        
      

            
            

            
            

            
            

            
            
        
      

        
        
      

            
            
                
                    
                        
      MOSFET 晶體管，Infineon
      
                    
                
                
                
            
                
                
                    
      
                        
                            Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設(shè)備組合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能，實現(xiàn)更高效率、功率密度和成本效益。需要高質(zhì)量和增強型保護功能的設(shè)計獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 MOSFET。 
                        
                    
      
                
                
            

            
            
      
                
            
      

            
            

            
            

            
            
        
      

        
        
      
            

            

            
        

      
            
      
                屬性
                數(shù)值
            
      
            
                
      
                    通道類型
                    N
                
      
            
                
      
                    最大連續(xù)漏極電流
                    7.3 A
                
      
            
                
      
                    最大漏源電壓
                    650 V
                
      
            
                
      
                    封裝類型
                    DPAK (TO-252)
                
      
            
                
      
                    安裝類型
                    表面貼裝
                
      
            
                
      
                    引腳數(shù)目
                    3
                
      
            
                
      
                    最大漏源電阻值
                    600 mΩ
                
      
            
                
      
                    通道模式
                    增強
                
      
            
                
      
                    最大柵閾值電壓
                    4.5V
                
      
            
                
      
                    最小柵閾值電壓
                    3.5V
                
      
            
                
      
                    最大功率耗散
                    63 W
                
      
            
                
      
                    晶體管配置
                    單
                
      
            
                
      
                    最大柵源電壓
                    -30 V、+30 V
                
      
            
                
      
                    每片芯片元件數(shù)目
                    1
                
      
            
                
      
                    寬度
                    6.22mm
                
      
            
                
      
                    典型柵極電荷@Vgs
                    12 nC
                
      
            
                
      
                    長度
                    6.73mm
                
      
            
                
      
                    晶體管材料
                    Si
                
      
            
                
      
                    最高工作溫度
                    +150 °C
                
      
            
        
      
             
      
              
              
              
              
              
              
            
      
            

            
      
          
      

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