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      英飛凌 IPD80R1K4CE MOSFET

      訂 貨 號:IPD80R1K4CE      品牌:英飛凌_Infineon

      庫存數(shù)量:10             品牌屬性:進口

      品牌商價:¥0.00

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      英飛凌 IPD80R1K4CE MOSFET
      產(chǎn)品詳細信息

      Infineon CoolMOS? CE 功率 MOSFET

      MOSFET 晶體管,Infineon

      Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設(shè)備組合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能,實現(xiàn)更高效率、功率密度和成本效益。需要高質(zhì)量和增強型保護功能的設(shè)計獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業(yè)標準的 MOSFET。


      屬性 數(shù)值
      通道類型 N
      最大連續(xù)漏極電流 3.9 A
      最大漏源電壓 800 V
      封裝類型 TO-252
      安裝類型 表面貼裝
      引腳數(shù)目 3
      最大漏源電阻值 1.4 Ω
      通道模式 增強
      最大柵閾值電壓 3.9V
      最小柵閾值電壓 2.1V
      最大功率耗散 63 W
      晶體管配置
      最大柵源電壓 -20 V、+20 V
      寬度 6.22mm
      長度 6.73mm
      最高工作溫度 +150 °C
      晶體管材料 Si
      典型柵極電荷@Vgs 23 nC @ 10 V
      每片芯片元件數(shù)目 1
      暫無

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