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      onsemi FQU11P06TU MOSFET

      訂 貨 號:FQU11P06TU      品牌:安森美_Onsemi

      庫存數量:10             品牌屬性:進口

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      onsemi FQU11P06TU MOSFET
      產品詳細信息

      增強模式 P 通道 MOSFET , ON Semiconductor

      在半導體方面, P 通道 MOSFET 采用半導體專有的高細胞密度 DMOS 技術制造。這種非常高密度的過程旨在最大限度地減少狀態電阻,從而為快速交換提供堅固可靠的性能。

      特點和優勢:

      ?電壓控制的 P 通道小信號開關
      ?高密度單元設計
      ?高飽和度電流
      ?卓越的交換性能
      ?堅固耐用、可靠的性能
      * DMOS 技術

      應用:

      ?負載切換
      ? DC/DC 轉換器
      ?電池保護
      ?電源管理控制
      ?直流電機控制

      半導體 MOSFET 晶體管,半

      在半自動模式下, MOSFET 器件的組合相當龐大,包括高電壓 (250V)> 和低電壓 (250V)< 類型。先進的硅技術提供更小的芯片尺寸,其整合到多種工業標準和耐熱增強型封裝中。
      在半 MOSFET 上,可提供卓越的設計可靠性,從降低的電壓峰值和過沖,到降低接點電容和反向恢復電荷,以及消除額外的外部組件,從而使系統保持較長的運行時間。


      屬性 數值
      通道類型 P
      最大連續漏極電流 9.4 A
      最大漏源電壓 60 V
      封裝類型 IPAK (TO-251)
      安裝類型 通孔
      引腳數目 3
      最大漏源電阻值 185 mΩ
      通道模式 增強
      最小柵閾值電壓 2V
      最大功率耗散 2.5 W
      晶體管配置
      最大柵源電壓 -30 V、+30 V
      長度 6.6mm
      最高工作溫度 +150 °C
      晶體管材料 Si
      典型柵極電荷@Vgs 13 nC @ 10 V
      寬度 2.3mm
      每片芯片元件數目 1
      暫無

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