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      Vishay SI2365EDS-T1-GE3 MOSFET
      
                  
      
                  
      
                      
       訂  貨 號：SI2365EDS-T1-GE3        品牌：威世_Vishay
      
                      
       庫存數量：10                    品牌屬性：進口
      
                      
       品牌商價：￥0.00 
      
                      
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               Vishay SI2365EDS-T1-GE3 MOSFET
      產品詳細信息
      

        
        
      

            
            
                
                    
                        
      P 通道 MOSFET，8V 至 20V，Vishay Semiconductor
      
                    
                
                
                
            

            
            
      
                
            
      

            
            

            
            

            
            
        
      

        
        
      
            
        
      

        
        
      

            
            

            
            

            
            

            
            
        
      

        
        
      

            
            
                
                    
                        
      MOSFET 晶體管，Vishay Semiconductor
      
                    
                
                
                
            

            
            
      
                
            
      

            
            

            
            

            
            
        
      

        
        
      
            

            

            
        

      
            
      
                屬性
                數值
            
      
            
                
      
                    通道類型
                    P
                
      
            
                
      
                    最大連續漏極電流
                    4.7 A
                
      
            
                
      
                    最大漏源電壓
                    20 V
                
      
            
                
      
                    封裝類型
                    SOT-23 (TO-236)
                
      
            
                
      
                    安裝類型
                    表面貼裝
                
      
            
                
      
                    引腳數目
                    3
                
      
            
                
      
                    最大漏源電阻值
                    67.5 mΩ
                
      
            
                
      
                    通道模式
                    增強
                
      
            
                
      
                    最小柵閾值電壓
                    0.4V
                
      
            
                
      
                    最大功率耗散
                    1.7 W
                
      
            
                
      
                    晶體管配置
                    單
                
      
            
                
      
                    最大柵源電壓
                    -8 V、+8 V
                
      
            
                
      
                    每片芯片元件數目
                    1
                
      
            
                
      
                    晶體管材料
                    Si
                
      
            
                
      
                    典型柵極電荷@Vgs
                    23.8 nC @ 8 V
                
      
            
                
      
                    寬度
                    1.4mm
                
      
            
                
      
                    長度
                    3.04mm
                
      
            
                
      
                    最高工作溫度
                    +150 °C
                
      
            
        
      
             
      
              
              
              
              
              
              
            
      
            

            
      
          
      

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