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在中國深圳，我最近遇到了一位在一家信息娛樂系統制造商任職的設計師。“你碰巧在你的設計中用過60V的負載開關嗎？”我問。他說用過，并告訴我他的電路板包含了大約10個30V-60V的小外形尺寸晶體管(SOT)-23，漏源導通電阻R_DS(ON)通常100mΩ左右。“在這些電路板上，你有空間受限的問題嗎？”我問。他承認有，于是我讓他看TI新型CSD18541F5 60V FemtoFET MOSFET的技術信息，R_DS(ON)不到60mΩ，占位面積5mm × 0.8mm (1.2mm²) （參見圖1），是專為諸如信息娛樂系統等空間受限的應用情況設計的。

圖1：CSD18541F5l與網格陣列封裝

相比您的那些家用電器采用的SOT-23 (6.75mm²) 封裝（參見圖2），新型MOSFET的尺寸約有其六分之一左右。它還意味著不僅R_DS(ON)降低，還實現了占位面積大幅減小的優點，面積比傳統MOSFET減小了75%。

圖2：傳統SOT-23封裝，旁邊是CSD18541F5LGA封裝

和這位工程師做了一些快速計算，我們的結論是如果每個電路板用10個元件，他就能節省大約55mm²占位面積——每個元件的節省量并不顯著，通常被大多數工程師認為是事后才會想到的事。那么焊盤間距情況如何呢？幸運的是，這個微型LGA封裝在設計中還考慮了業內客戶的需求，對他們來說，似乎一致認為0.5mm是兩個焊盤之間的首選最小間距。

如今，我在行業市場遇見的每個人，無論是生產電源、電池保護裝置還是電動工具，幾乎都對尺寸變小或性能提升（或兩個特點兼具）的負載開關有些興趣。

因此，如果您的工業設計需要使用不少的SOT-23或更大的負載開關，請考慮選擇我們的新型CSD18541F5 MOSFET。相信我，您的PCB會在稍后感謝您。

其他信息

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原文鏈接：

https://e2e.ti.com/blogs_/b/powerhouse/archive/2016/06/20/shrink-your-industrial-footprint-with-new-60v-femtofets