這些 Semikron 四 IGBT 模塊的系列配置使其成為需要高性能 3 級拓撲應用的完美解決方案。 這些緊湊型印刷電路板安裝 SEMITOP 3 模塊具有單孔固定功能和極佳的導熱性，并且采用 Trench IGBT 技術。 典型應用包括 3 級直流-交流逆變器和 UPS 電源。
絕緣柵級雙極性晶體管或 IGBT 是一種三端子功率半導體設備，以高效和快速切換著稱。 IGBT 通過將用于控制輸入的隔離柵極 FET 和用作開關的雙極性功率晶體管組合在單個設備中，將 MOSFET 的簡單柵極驅動特性與雙極性晶體管的高電流和低飽和電壓能力組合在一起。
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 最大連續集電極電流 | 151 A |
| 最大集電極-發射極電壓 | 600 V |
| 最大柵極發射極電壓 | ±20V |
| 配置 | 串行 |
| 封裝類型 | SEMITOP4 |
| 安裝類型 | 通孔 |
| 通道類型 | N |
| 引腳數目 | 70 |
| 晶體管配置 | 串行 |
| 尺寸 | 55 x 60.25 x 15.08mm |
