on ON Semiconductor n 通道 mv mosfet 采用 Advanced power trench 工藝生產(chǎn)、該工藝采用屏蔽柵極技術(shù)。此過程經(jīng)過優(yōu)化、有效減少通態(tài)電

低 rds （接通）可有效減少傳導(dǎo)
低 qg 和電容、有效減少驅(qū)動器
低 qrr 、軟恢復(fù)體二極管