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      威世 SIHP21N60EF-GE3 MOSFET

      訂 貨 號:SIHP21N60EF-GE3      品牌:Vishay/威世

      庫存數(shù)量:10             品牌屬性:

      RoHS:符合

      市 場 價:¥0.00          品 牌 商:¥0.00

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      公司基本資料信息

      聯(lián)系人:(女士)
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      威世 SIHP21N60EF-GE3 MOSFET
      產(chǎn)品詳細信息

      Vishay MOSFET

      Vishay 通孔安裝 N 溝道 TO-220AB-3 MOSFET 是一款新時代的產(chǎn)品,漏極源電壓為 600V ,最大柵極源電壓為 30V。它在柵極源電壓為 10V 時具有 176mohms 的漏 - 源電阻。它的最大功耗為 227W ,連續(xù)漏極電流為 21A。其驅(qū)動電壓為 10V。此產(chǎn)品經(jīng)過優(yōu)化,可降低切換和傳導(dǎo)損耗。MOSFET 提供出色的效率以及長且高效的使用壽命,而不會影響性能或功能。

      特點和優(yōu)勢

      ?快速主體二極管 MOSFET ,采用 E 系列技術(shù)
      ? 無鹵素
      ?由于 Qrr 較低,因此提高了堅固性
      ?低品質(zhì)因數(shù) (FOM) Ron x Qg
      ?低輸入電容 (Ciss)
      ?工作溫度范圍 -55°C 至 150°C
      ?減少 TRR , Qrr 和 IRRM
      ?超低柵極電荷 (Qg)

      應(yīng)用

      ?發(fā)光二極管 (LED)
      ? 3 級變頻器
      ?交流 / 直流橋接
      ? ATX 電源
      ?高強度照明 (HID)
      ? LLC
      ?相移橋 (ZVS)
      ?功率因數(shù)校正電源 (PFC)
      ?服務(wù)器和電信電源
      ?太陽能 PV 變頻器

      認證

      ? ANSI/ESD S20.20 : 2014
      ? BS EN 61340-5-1 : 2007
      ? UIS 測試


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