Infineon OptiMOS 功率 MOSFET IPTG011N08NM5 采用改進的直引線封裝，帶鷗翼引線。與 D2PAK 7 引腳相比， TOLG 具有與無鉛封裝兼容的外形尺寸，可實現出色的電氣性能，板空間減少 ～60%。OptiMOS 5-80 V 的這款新封裝提供非常低的 RDS (接通) ，經優化可處理 300 A 的高電流鷗翼引線的靈活性，采用 TOLG 封裝的 OptiMOS 在 AL-IMS 板上顯示了出色的焊接接頭的可靠性。這會使板上的熱循環增加 2 倍
高效率和低 EMI
高性能
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 408 A |
| 最大漏源電壓 | 80 V |
| 封裝類型 | PG-HSOG-8-1 |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 8 |
| 最大漏源電阻值 | 0.0011 Ω |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 3.3V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
