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此 Infineon ex場 ? 功率 mosfet 利用最新的 35A id 處理技術,可在每個硅片區(qū)域實現(xiàn)極低的接通電阻。此設計的其他功能包括 175°C 結點工作溫度、快速切換速度和改進的重復雪崩額定值。這些功能相結合、使此設計成為極其高效和可靠的設備、適用于各種應用。
先進的工藝技術
超低接通電阻
無鉛和無鹵素
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 35 A |
最大漏源電壓 | 100 V |
封裝類型 | DPAK (TO-252) |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數(shù)目 | 3 |
最大漏源電阻值 | 0.0285 Ω |
通道模式 | 增強 |
最大柵閾值電壓 | 4V |
晶體管材料 | Si |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |