Infineon 40V 單 n 通道 hex場 功率 mosfet 采用 so-8 封裝。
超低柵極阻抗
極低 rds （接通）
完全雪崩電壓和電流特征
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 9 A |
| 最大漏源電壓 | 40 V |
| 封裝類型 | SO-8 |
| 安裝類型 | 表面安裝器件 |
| 最大漏源電阻值 | 21 個月 |
| 最大柵閾值電壓 | 3V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
